Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 89 A, 55 V TO-263

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

8 439,20 kr

(exkl. moms)

10 548,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 - 80010,549 kr8 439,20 kr
1600 +10,021 kr8 016,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2635
Tillv. art.nr:
IRL3705NSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

89A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

98nC

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Width

4.83 mm

Height

17.79mm

Automotive Standard

No

The Infineon 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface-mount power package

High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)

Capable of being wave-soldered

relaterade länkar