Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 55 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

7 397,60 kr

(exkl. moms)

9 247,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 - 8009,247 kr7 397,60 kr
1600 +8,784 kr7 027,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2635
Tillv. art.nr:
IRL3705NSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

89A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

10mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

98nC

Maximal effektförlust Pd

170W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.67mm

Bredd

4.83 mm

Höjd

17.79mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface-mount power package

High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)

Capable of being wave-soldered

Relaterade länkar