Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 55 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 214-4463
- Tillv. art.nr:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
5 404,00 kr
(exkl. moms)
6 755,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 6,755 kr | 5 404,00 kr |
| 1600 - 1600 | 6,418 kr | 5 134,40 kr |
| 2400 + | 6,012 kr | 4 809,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4463
- Tillv. art.nr:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.6mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 82W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.6mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximal effektförlust Pd 82W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
It is optimized for synchronous rectification
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 51 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 64 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 131 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 51 A 150 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 89 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 240 A 55 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 210 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 29 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET