Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V, 3-Pin TO-263

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

5 404,00 kr

(exkl. moms)

6 755,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 - 8006,755 kr5 404,00 kr
1600 - 16006,418 kr5 134,40 kr
2400 +6,012 kr4 809,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4463
Tillv. art.nr:
IRFZ46ZSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

51A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.6mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

82W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.

It is optimized for synchronous rectification

relaterade länkar