Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5887
- Tillv. art.nr:
- IRFH5301TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
39,20 kr
(exkl. moms)
49,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 3 640 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 7,84 kr | 39,20 kr |
| 50 - 120 | 6,988 kr | 34,94 kr |
| 125 - 245 | 6,608 kr | 33,04 kr |
| 250 - 495 | 4,972 kr | 24,86 kr |
| 500 + | 4,838 kr | 24,19 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5887
- Tillv. art.nr:
- IRFH5301TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.85mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.85mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard surface-mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 100 A 30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 21 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal -5.1 A -30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 280 A 30 V PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 82 A 30 V Förbättring PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 44 A 30 V Förbättring PQFN, HEXFET
