Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9389
- Tillv. art.nr:
- IRFHM830TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
90,94 kr
(exkl. moms)
113,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 590 enhet(er) från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,094 kr | 90,94 kr |
| 100 - 240 | 8,658 kr | 86,58 kr |
| 250 - 490 | 8,288 kr | 82,88 kr |
| 500 - 990 | 7,918 kr | 79,18 kr |
| 1000 + | 7,37 kr | 73,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9389
- Tillv. art.nr:
- IRFHM830TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 37W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal effektförlust Pd 37W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRFHM series is the 30V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 3.3x3.3 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount package
Potential alternative to high RDS (on) Super SO 8 package
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 25 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -21 A -30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 20 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 60 V, PQFN, HEXFET