Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

79,02 kr

(exkl. moms)

98,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 590 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 907,902 kr79,02 kr
100 - 2407,507 kr75,07 kr
250 - 4907,207 kr72,07 kr
500 - 9906,875 kr68,75 kr
1000 +6,401 kr64,01 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-9389
Tillv. art.nr:
IRFHM830TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

21A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PQFN

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Maximal drain-källresistans Rds

15mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Maximal effektförlust Pd

37W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IRFHM series is the 30V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 3.3x3.3 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface mount package

Potential alternative to high RDS (on) Super SO 8 package

Relaterade länkar