Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9389
- Tillv. art.nr:
- IRFHM830TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
72,49 kr
(exkl. moms)
90,61 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 190 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 7,249 kr | 72,49 kr |
| 100 - 240 | 6,887 kr | 68,87 kr |
| 250 - 490 | 6,611 kr | 66,11 kr |
| 500 - 990 | 6,307 kr | 63,07 kr |
| 1000 + | 5,872 kr | 58,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9389
- Tillv. art.nr:
- IRFHM830TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 37W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 37W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRFHM-serie är en 30 V enkel n-kanal stark IRFET-effektmosfet i en PQFN 3.3x3.3-kapsel. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Ytmonterad förpackning enligt industristandard
Potentiellt alternativ till högt RDS (på) Super SO 8-paket
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 25 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -21 A -30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 60 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 20 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET