Infineon N Kanal, MOSFET, 280 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
258-3971
Tillv. art.nr:
IRFH8303TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

280A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PQFN

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Maximal effektförlust Pd

156W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

58nC

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.9mm

Längd

6mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

5mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.

Mjukare kroppsdiod jämfört med tidigare kiselgeneration

Bred portfölj tillgänglig

Ökad effekttäthet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.