Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

15 828,00 kr

(exkl. moms)

19 784,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +3,957 kr15 828,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5527
Tillv. art.nr:
IRFH5301TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PQFN

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.85mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

37nC

Maximal effektförlust Pd

110W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.9mm

Längd

6mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Industry standard surface-mount power package

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100 kHz

Softer body-diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

Relaterade länkar