Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

15 828,00 kr

(exkl. moms)

19 784,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +3,957 kr15 828,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5527
Tillv. art.nr:
IRFH5301TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PQFN

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.85mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

37nC

Maximal effektförlust Pd

110W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

0.9mm

Längd

6mm

Bredd

5mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.

Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

<

Mjukare kroppsdiod jämfört med tidigare kiselgeneration

Bred portfölj tillgänglig

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.