Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -5.1 A -30 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

7 956,00 kr

(exkl. moms)

9 944,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 - 40001,989 kr7 956,00 kr
8000 +1,916 kr7 664,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-9391
Tillv. art.nr:
IRFHS9351TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-5.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

-30V

Kapseltyp

PQFN

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

290mΩ

Maximal effektförlust Pd

1.4W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.9nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.9mm

Längd

2mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IRFHS series is the -30V dual p channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 2x2 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface mount power package

Low RDS (on) in a small package

Relaterade länkar