Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5529
- Tillv. art.nr:
- IRFH7084TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
29 556,00 kr
(exkl. moms)
36 944,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 31 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 7,389 kr | 29 556,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5529
- Tillv. art.nr:
- IRFH7084TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 265A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.25mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 127nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 265A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.25mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 127nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard surface-mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 265 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 117 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 40 A 20 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 259 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 40 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 159 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 85 A 60 V HEXFET
