Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 20 V, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

11 612,00 kr

(exkl. moms)

14 516,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +2,903 kr11 612,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5570
Tillv. art.nr:
IRLHM620TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

PQFN

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

2.5mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

37W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Ytmonteringspaket enligt industristandard

Potentiellt alternativ till SuperSO8-kapsel med hög RDS(on)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.