Infineon N Kanal, MOSFET, 259 A 40 V, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
257-9379
Tillv. art.nr:
IRFH7004TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

259A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

PQFN

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

156W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

129nC

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5mm

Höjd

0.9mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

6mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRFH-serie är en 40 V enkel n-kanal stark IRFET-effektmosfet i en PQFN 5x6-kapsel. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.

Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz

Mjukare diodkropp jämfört med tidigare kiselgeneration

Bred portfölj tillgänglig

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.