Infineon N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V Förbättring, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9382
- Tillv. art.nr:
- IRFH7440TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
96,10 kr
(exkl. moms)
120,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 915 enhet(er) från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,22 kr | 96,10 kr |
| 50 - 120 | 17,316 kr | 86,58 kr |
| 125 - 245 | 16,128 kr | 80,64 kr |
| 250 - 495 | 15,008 kr | 75,04 kr |
| 500 + | 13,82 kr | 69,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9382
- Tillv. art.nr:
- IRFH7440TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 159A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 92nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6mm | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 900μm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 159A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 92nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6mm | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 900μm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 159 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRFH7440TRPBF
Denna MOSFET är en N-kanals effekttransistor med förstärkningsläge som är utformad för högströmsomkoppling i ytmonterade tillämpningar. Den fungerar i ett brett temperaturområde och uppfyller RoHS-kraven, vilket gör den lämplig för miljöer där kompakt omkoppling med låg resistans krävs utan begränsningar för fordonscertifiering.
Funktioner och fördelar:
• 2,4 mΩ Rds(on) minskar ledningsförlusterna
• 104 W Pd möjliggör hållbar effekthantering
• 159 A kontinuerlig ström stöder tunga laster
• 92 nC grindladdning balanserar drivhastighet och kontroll
• 20 V Vgs max ger skydd mot grindöverspänning
• 104 W Pd möjliggör hållbar effekthantering
• 159 A kontinuerlig ström stöder tunga laster
• 92 nC grindladdning balanserar drivhastighet och kontroll
• 20 V Vgs max ger skydd mot grindöverspänning
Användningsområden
• Lämplig för högströms DC-effektsteg
• Idealisk för switchade nätaggregat
• Används med kompakta värmehanteringssystem
• Kan användas för motorstyrda växelriktarben
• Används för synkronlikriktelse i omvandlare
• Idealisk för switchade nätaggregat
• Används med kompakta värmehanteringssystem
• Kan användas för motorstyrda växelriktarben
• Används för synkronlikriktelse i omvandlare
Vilken monteringsstil kräver den?
Den levereras i en PQFN-förpackning avsedd för ytmontering.
Vilket temperaturområde tål den under drift?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C.
Hur påverkar dess framåtriktade spänning effektiviteten?
Dess framåtriktade spänning på 0,9 V minskar spänningsfallet under ledning, vilket påverkar de totala systemförlusterna.
Är den lämplig för fordonskvalificerade konstruktioner?
Det är inte kvalificerat enligt fordonsstandarder och bör inte väljas där fordonscertifiering krävs.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V Förbättring, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.60 A 30 V Förbättring, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 20 V Förbättring, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 82 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
