Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5804
- Tillv. art.nr:
- IRFH7084TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
46,14 kr
(exkl. moms)
57,675 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 430 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 9,228 kr | 46,14 kr |
| 25 - 45 | 8,982 kr | 44,91 kr |
| 50 - 120 | 8,736 kr | 43,68 kr |
| 125 - 245 | 8,512 kr | 42,56 kr |
| 250 + | 8,31 kr | 41,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5804
- Tillv. art.nr:
- IRFH7084TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 265A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.25mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 127nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 265A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.25mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 127nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard surface-mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 265 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 117 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 259 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 159 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 40 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 40 A 20 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 40 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
