Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5804
- Tillv. art.nr:
- IRFH7084TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
46,14 kr
(exkl. moms)
57,675 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 430 enhet(er) levereras från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 9,228 kr | 46,14 kr |
| 25 - 45 | 8,982 kr | 44,91 kr |
| 50 - 120 | 8,736 kr | 43,68 kr |
| 125 - 245 | 8,512 kr | 42,56 kr |
| 250 + | 8,31 kr | 41,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5804
- Tillv. art.nr:
- IRFH7084TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 265A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.25mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 127nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Längd | 6mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 265A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.25mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 127nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.05mm | ||
Längd 6mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
<
Mjukare kroppsdiod jämfört med tidigare kiselgeneration
Bred portfölj tillgänglig
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 20 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 259 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 117 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 60 V, PQFN, HEXFET