Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 75 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-8547
- Tillv. art.nr:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
18 360,00 kr
(exkl. moms)
22 950,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 31 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 7,344 kr | 18 360,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-8547
- Tillv. art.nr:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon CoolMOS MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS CFDA series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while offering an extremely fast and robust body diode. This combination of extremely low switching, commutation and conduction losses together with highest robustness make especially resonant switching applications more reliable, more efficient, lighter, and cooler.
Ultra-fast body diode
Very high commutation ruggedness
Extremely low losses due to very low
Easy to use/drive
Qualified according to AEC Q101
Green package (RoHS compliant)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 180 A 75 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 180 A 40 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 180 A 75 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 75 A N IPD