Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 75 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 244-8545
Tillv. art.nr:: IPD380P06NMATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 75 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

19 957,50 kr

(exkl. moms)

24 947,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

5 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	7,983 kr	19 957,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 244-8545
Tillv. art.nr:: IPD380P06NMATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	180A
	Maximal källspänning för dränering Vds	75V
	Serie	IPD
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	3mΩ
	Kanalläge	P
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A
	Maximal källspänning för dränering Vds 75V
	Serie IPD
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ
	Kanalläge P
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD380P06NMATMA1

Infineon IPD-serien MOSFET, 75 V maximal drain-källspänning, 180 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD380P06NMATMA1

Denna MOSFET är en P-kanals effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling i ytmonterade tillämpningar. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är lämplig för fordons- och industrisammanhang där förhöjda termiska och elektriska prestanda krävs.

Funktioner och fördelar:

• Maximal drain-source-spänning på 75 V möjliggör omkoppling vid högre spänning
• Låg Rds(on) på 3 mΩ minskar ledningsförluster vid kraftigt strömflöde
• 180 A kontinuerlig dräneringsström stöder långvariga höga strömbelastningar
• 81 W effektförlust hanterar betydande värmestress
• 80 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsenergihantering
• 20 V maximalt gate-source-klassning rymmer robusta gate-drivnivåer

Användningsområden

• Lämplig för DC-strömfördelningssteg med hög strömstyrka
• Idealisk för fordonskraftsmoduler som uppfyller fordonskraven
• Används för omkoppling av motordrivning på låg- eller hög-sidan
• Kan användas för strömhantering på kortnivå i tuffa miljöer
• Används med värmehanteringssystem i strömförsörjningsenheter

Vilket temperaturområde tål den i krävande miljöer?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C för att täcka extrema temperaturförhållanden.

Hur påverkar förpackningen montering och montering?

Ytmonteringspaketet TO-252 möjliggör automatiserad lödning och kompakt placering av kort för kraftkonstruktioner.

Vilka gating-överväganden är nödvändiga för omkopplingsprestanda?

Typisk grindladdning är 80 nC, så grinddrivare måste leverera tillräcklig laddning för den avsedda omkopplingshastigheten.

Vilka branschkvalifikationer stöder dess användning i fordonssystem?

Den uppfyller fordonsstandarden AEC-Q101 för komponenter som används i fordonstillämpningar.

Finns det miljöbegränsningar för dess användning när det gäller farliga ämnen?

Den uppfyller RoHS-kraven som begränsar specifika farliga material.