Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

14 505,00 kr

(exkl. moms)

18 130,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,802 kr14 505,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-1593
Tillv. art.nr:
IPD5N25S3430ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

P

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon MOSFET OptiMOSTM effekttransistor är en grön produkt som uppfyller RoHS och är AEC Q101-kvalificerad för fordon.

N-kanal – Förbättringsläge

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

100 % avalanche-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.