Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 244-1593
Tillv. art.nr:: IPD5N25S3430ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

14 505,00 kr

(exkl. moms)

18 130,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 17 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	5,802 kr	14 505,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 244-1593
Tillv. art.nr:: IPD5N25S3430ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	180A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	IPD
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.4mΩ
	Kanalläge	P
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TO-252
	Serie IPD
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ
	Kanalläge P
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD5N25S3430ATMA1

Infineon IPD-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 180 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD5N25S3430ATMA1

Denna MOSFET är en högströmsomkopplingstransistor som är utformad för krävande elektroniska effektsteg och fordonsmiljöer, vilket ger robust ledning och kontrollerat grinddrivbeteende över ett utökat temperaturområde.

Funktioner och fördelar:

• Drain-klassning på 40 V möjliggör omkoppling av strömförsörjningssystem med låg spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 180 A stöder höga strömbelastningar
• Låg Rds(on) på 1.4 mΩ minskar ledningsförluster i vägar med hög ström
• 81 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 80 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbar omkopplingsenergi
• 20 V gate-tolerans accepterar vanliga gate-drivspänningar

Användningsområden

• Lämplig för fordonsväxelriktare och motorsteg
• Idealisk för implementering av DC/DC-omvandlarutgångssteg
• Används med batterihanteringsmoduler i elfordon
• Kan användas för omkoppling av högströmslaster på kretskort
• Används för ytmonterade strömförsörjningsenheter i tuffa miljöer

Vilka termiska extremer tål den under drift?

Den fungerar i ett omgivningsområde från -55 °C upp till 175 °C.

Vilket förpacknings- och monteringssätt finns för montering?

Den levereras i en TO-252-kapsel avsedd för ytmontering.

Vilken polaritet och vilket ledningsläge använder den?

Enheten använder en N-typ-kanal som drivs i P-lägekonfiguration.

Uppfyller den miljö- eller industristandarder?

Den uppfyller RoHS-kraven och uppfyller AEC-Q101-kriterierna för fordonsindustrin.

Hur många terminaler finns tillgängliga för kretsanslutningar?

Den tillhandahåller tre stift för grind-, drain- och källanslutning.