Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 75 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-8548
- Tillv. art.nr:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
29,01 kr
(exkl. moms)
36,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 366 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 14,505 kr | 29,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-8548
- Tillv. art.nr:
- IPD65R660CFDAATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOS MOSFET är en revolutionerande teknik för högspänningseffekt-MOSFET, utformad enligt superjunction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. 650 V CoolMOS CFDA-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i högklass. De resulterande enheterna ger alla fördelar med en snabb SJ MOSFET samtidigt som de erbjuder en extremt snabb och robust kroppsdiod. Denna kombination av extremt låga omkopplings-, kommutations- och ledningsförluster tillsammans med högsta robusthet gör särskilt resonanta omkopplingstillämpningar mer tillförlitliga, effektivare, lättare och kylare.
Ultrasnabb kroppsdiod
Mycket hög motståndskraft vid kommutation
Extremt låga förluster tack vare mycket låg
Lätt att använda/drivning
Kvalificerad enligt AEC Q101
Grön förpackning (RoHS-kompatibel)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 75 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 75 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101