Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-1590
- Tillv. art.nr:
- IPD25DP06LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
99,46 kr
(exkl. moms)
124,325 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 120 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,892 kr | 99,46 kr |
| 50 - 120 | 17,114 kr | 85,57 kr |
| 125 - 245 | 16,106 kr | 80,53 kr |
| 250 - 495 | 14,918 kr | 74,59 kr |
| 500 + | 13,732 kr | 68,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-1590
- Tillv. art.nr:
- IPD25DP06LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET OptiMOSTM Power Transistor har Pb-fri blyplätering, RoHS-kompatibel och är halogenfri enligt IEC61249-2-21.
P-kanal
Mycket låg på-resistans RDS(on)
100 % avalanche-testade
Normal nivå
Förbättringsläge
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 75 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15.1 A P, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101