Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

9 179,20 kr

(exkl. moms)

11 473,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 10 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 - 80011,474 kr9 179,20 kr
1600 +10,90 kr8 720,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
229-1728
Tillv. art.nr:
AUIRF3205ZSTRL
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

110A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-263

Serie

AUIRF

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

170W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

76nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.83mm

Bredd

9.65 mm

Längd

10.67mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in automotive applications and a wide variety of other applications.

It is RoHS compliant and AEC Q101 qualified

Relaterade länkar