Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 242-0967
- Tillv. art.nr:
- AUIRFS3306TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
40,99 kr
(exkl. moms)
51,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 756 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 40,99 kr |
| 5 - 9 | 38,98 kr |
| 10 - 24 | 35,06 kr |
| 25 - 49 | 31,58 kr |
| 50 + | 30,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 242-0967
- Tillv. art.nr:
- AUIRFS3306TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie AUIRFS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon 60 V, en HEXFET-effekt-MOSFET med N-kanal i en D2-Pak-kapsel. Den kontinuerliga dräneringsströmmen (Id) är 160 A. Driftstemperaturen för effekt-MOSFET är från -55 °C till 175 °C.
Teknik för ytmontering
Effektförlusten är 230 W
Typisk tillämpning: Borstad motordrivning, borstlös motordrivning
Avancerad processteknik
Ultralåg påslagningsresistans
Snabbväxlande
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 75 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 20 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 20 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 A 75 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 127 A 100 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101