Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1734
- Tillv. art.nr:
- AUIRF6215STRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
219,07 kr
(exkl. moms)
273,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 43,814 kr | 219,07 kr |
| 25 - 45 | 39,424 kr | 197,12 kr |
| 50 - 120 | 36,804 kr | 184,02 kr |
| 125 - 245 | 34,182 kr | 170,91 kr |
| 250 + | 31,988 kr | 159,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1734
- Tillv. art.nr:
- AUIRF6215STRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | AUIRF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 290mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 66nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie AUIRF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 290mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 66nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons HEXFET-effekt-MOSFET med en p-kanal i D2-Pak-kapsel. Den har snabb omkoppling och är helt avalancheklassad. Den är blyfri och har låg påslagningsresistans.
Den är RoHS-kompatibel och AEC-kvalificerad
Den har en drifttemperatur på 175 °C
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101