Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 75 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 249-6874
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR2407TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
28,00 kr
(exkl. moms)
35,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 28,00 kr |
| 10 - 49 | 26,66 kr |
| 50 - 99 | 25,54 kr |
| 100 - 249 | 24,19 kr |
| 250 + | 22,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 249-6874
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR2407TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Serie AUIRFS | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in automotive and a wide variety of other applications.
Advance planner technology
LowOn-Resistance
Dynamic dV/dT Rating
175 C operating temperature
Fast switching
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 42 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 260 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 17 A 20 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 160 A 60 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 127 A 100 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 72 A 20 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 13 A 150 V Förbättring TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 110 A 55 V Förbättring TO-263, AUIRF AEC-Q101