Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 127 A 100 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

25 232,80 kr

(exkl. moms)

31 540,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 +31,541 kr25 232,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
242-0968
Tillv. art.nr:
AUIRFS4310ZTRL
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

127A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

AUIRFS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon erbjuder en 100 V Atomotive HEXFET-effekt-MOSFET med en N-kanal i en D2-Pak-kapsel. Den maximala kontinuerliga dräneringsströmmen är 120 A.

Avancerad processteknik

Ultralåg påslagningsresistans

175 °C drifttemperatur

Snabbväxlande

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.