Vishay Dual TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

13 290,00 kr

(exkl. moms)

16 620,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +4,43 kr13 290,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2924
Tillv. art.nr:
SiS590DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212-8 Dual

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.251Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

23.1W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Combo N- & P-Channel -100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar