Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dubbel, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

13 290,00 kr

(exkl. moms)

16 620,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +4,43 kr13 290,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2924
Tillv. art.nr:
SiS590DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8 dubbel

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.251Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.5nC

Maximal effektförlust Pd

23.1W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Standarder/godkännanden

RoHS

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

The Vishay Combo N- & P-Channel -100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar