Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dubbel, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2925
- Tillv. art.nr:
- SiS590DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
113,01 kr
(exkl. moms)
141,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 5 920 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,301 kr | 113,01 kr |
| 100 - 240 | 10,629 kr | 106,29 kr |
| 250 - 490 | 9,61 kr | 96,10 kr |
| 500 - 990 | 9,05 kr | 90,50 kr |
| 1000 + | 8,478 kr | 84,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2925
- Tillv. art.nr:
- SiS590DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 dubbel | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.251Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 23.1W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 dubbel | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.251Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 23.1W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Combo N- och P-kanal -100 V MOSFET.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dubbel, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 13.1 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.8 A 200 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 18 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 24.7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET