Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 126 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR510DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

139,10 kr

(exkl. moms)

173,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 260 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4527,82 kr139,10 kr
50 - 12025,02 kr125,10 kr
125 - 24522,266 kr111,33 kr
250 - 49520,316 kr101,58 kr
500 +17,516 kr87,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2904
Tillv. art.nr:
SiR510DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

126A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar