Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 23.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7454FDP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

91,06 kr

(exkl. moms)

113,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 370 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 909,106 kr91,06 kr
100 - 2408,187 kr81,87 kr
250 - 4907,00 kr70,00 kr
500 - 9905,925 kr59,25 kr
1000 +5,466 kr54,66 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2829
Tillv. art.nr:
Si7454FDP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

23.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

29.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

relaterade länkar