Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 77.4 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

164,08 kr

(exkl. moms)

205,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 975 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +32,816 kr164,08 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2906
Tillv. art.nr:
SiR570DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

77.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

46.9nC

Maximal effektförlust Pd

104W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay TrenchFET N-channel is 150 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar