Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 71.9 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR681DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

174,38 kr

(exkl. moms)

217,975 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 940 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4534,876 kr174,38 kr
50 - 12029,68 kr148,40 kr
125 - 24527,91 kr139,55 kr
250 - 49526,208 kr131,04 kr
500 +22,714 kr113,57 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2910
Tillv. art.nr:
SiR681DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

71.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET P-channel is 80 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar