Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

32,26 kr

(exkl. moms)

40,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 7 364 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +16,13 kr32,26 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
134-9725
Tillv. art.nr:
SIR668DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

65A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5.05mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

72nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

104W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.25mm

Bredd

5.26 mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.12mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor