Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

78,49 kr

(exkl. moms)

98,11 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 995 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +15,698 kr78,49 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
134-9698
Tillv. art.nr:
SIRA90DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.15mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

102nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

104W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.25mm

Bredd

5.26 mm

Höjd

1.12mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar