Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, CoolGaN

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

171 892,00 kr

(exkl. moms)

214 864,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 februari 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +85,946 kr171 892,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4637
Tillv. art.nr:
IGT60R190D1SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

CoolGaN

Kapseltyp

HSOF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

190mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. Cool MOS™ P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.

Increased MOSFET dv/dt ruggedness

Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

Very high commutation ruggedness

Pb-free plating Halogen free mold compound

Relaterade länkar