Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Förbättring, 9 Ben, HSOF, IPT015N10N5

RS-artikelnummer:: 171-1991
Tillv. art.nr:: IPT015N10N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Förbättring, 9 Ben, HSOF, IPT015N10N5

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

234,53 kr

(exkl. moms)

293,16 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

170 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 +	46,906 kr	234,53 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 171-1991
Tillv. art.nr:: IPT015N10N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	300A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	HSOF
	Serie	IPT015N10N5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	9
	Maximal drain-källresistans Rds	2mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	169nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	375W
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	10.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	2.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp HSOF
	Serie IPT015N10N5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 9
	Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 169nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 375W
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 10.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 2.4mm
	Fordonsstandard Nej

Infineon MOSFET

The Infineon HSOF-8 surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 1.5mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has continuous drain current of 300A. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 100V. It has a maximum power dissipation of 375W. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 6V and 10V respectively. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• 100% avalanche tested

• Excellent gate charge x RDS (on) product (FOM)

• Halogen free

• Highest system efficiency

• Ideal for high switching frequency

• Increased power density

• Lead (Pb) free plating

• Low voltage overshoot

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• Optimized for synchronous rectification

• Output capacitance reduction of up to 44%

• RDS (on) reduction of up to 44%

• Very low on resistance RDS (on)

Applications

• Adapter

• Light electric vehicles

• Low voltage drives

• Server power supplies

• Solar

• Telecommunication

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC