Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Förbättring, 9 Ben, HSOF, IPT015N10N5

RS-artikelnummer:: 171-1991
Tillv. art.nr:: IPT015N10N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Förbättring, 9 Ben, HSOF, IPT015N10N5

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

336,67 kr

(exkl. moms)

420,84 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 155 enhet(er) från den 17 augusti 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 +	67,334 kr	336,67 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 171-1991
Tillv. art.nr:: IPT015N10N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	300A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	HSOF
	Serie	IPT015N10N5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	9
	Maximal drain-källresistans Rds	2mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	169nC
	Maximal effektförlust Pd	375W
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Höjd	2.4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	10.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp HSOF
	Serie IPT015N10N5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 9
	Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 169nC
	Maximal effektförlust Pd 375W
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Höjd 2.4mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 10.1mm
	Fordonsstandard Nej

Infineon MOSFET

Infineon HSOF-8 ytmonterad N-kanal MOSFET är en ny tidsålderprodukt med ett drain-source-motstånd på 1,5 Mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. MOSFET har en kontinuerlig dräneringsström på 300 A. Den har en maximal grindkällspänning på 20 V och dräneringskällspänning på 100 V. Den har en maximal effektförlust på 375 W. MOSFET har en lägsta och en högsta drivspänning på 6 V respektive 10 V. Den har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• 100 % avalanche-testade

• Utmärkt grindladdning x RDS (på) produkt (FOM)

• Halogenfria

• Högsta systemeffektivitet

• Idealisk för hög omkopplingsfrekvens

• Ökad effekttäthet

• Blyfri plätering (Pb)

• Låg spänningsöverspänning

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 175 °C

• Optimerad för synkron likriktare

• Minskning av utgångskapacitet med upp till 44 %

• RDS (på)-reduktion på upp till 44 %

• Mycket låg påslagningsresistans RDS (på)

Användningsområden

• (PB-745) Adapter

• Lätta elfordon

• Lågspänningsdrivkretsar

• Strömförsörjning för server

• Solenergi

• Telekommunikation

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• JEDEC