Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, CoolGaN

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

176,29 kr

(exkl. moms)

220,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 mars 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9176,29 kr
10 - 99161,84 kr
100 - 249149,07 kr
250 - 499138,54 kr
500 +134,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4638
Tillv. art.nr:
IGT60R190D1SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

CoolGaN

Kapseltyp

HSOF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

190mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. Cool MOS™ P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.

Increased MOSFET dv/dt ruggedness

Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

Very high commutation ruggedness

Pb-free plating Halogen free mold compound

Relaterade länkar