Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 475 A 40 V Förbättring, 5 Ben, HSOF, IST
- RS-artikelnummer:
- 235-0606
- Tillv. art.nr:
- IST006N04NM6AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
76,61 kr
(exkl. moms)
95,762 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 288 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 38,305 kr | 76,61 kr |
| 20 - 48 | 32,93 kr | 65,86 kr |
| 50 - 98 | 30,63 kr | 61,26 kr |
| 100 - 198 | 28,28 kr | 56,56 kr |
| 200 + | 26,43 kr | 52,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-0606
- Tillv. art.nr:
- IST006N04NM6AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 475A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | HSOF | |
| Serie | IST | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 178nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.9mm | |
| Höjd | 7.2mm | |
| Bredd | 2.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 475A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp HSOF | ||
Serie IST | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 178nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.9mm | ||
Höjd 7.2mm | ||
Bredd 2.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM6 effekttransistor drivs på 40 V och dräneringsström på 475 A. Den är i Stoll-kapsel med mycket låg RDS(on) på 0,60 mOhm. Den har fördelarna med Infineons välkända kvalitetsnivå för robusta industripaket, vilket gör den till den idealiska lösningen för olika prestanda i batteridrivna tillämpningar, batteriskydd och batteridrift.
Optimerad för lågspänningsmotordrivtillämpningar
Optimerad för batteridrivna tillämpningar
Mycket låg på-resistans RDS(on)
100 % avalanche-testade
Överlägsen termisk prestanda
N-kanal
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 475 A 40 V Förbättring, 5 Ben, HSOF, IST
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 440 A 40 V Förbättring, 5 Ben, HSOF, IST
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 5 Ben, HSOF, IAUA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 30 V Förbättring, 9 Ben, HSOF, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IPT60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Förbättring, 9 Ben, HSOF, IPT015N10N5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IPT60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, CoolGaN