Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IPT60R
- RS-artikelnummer:
- 222-4938
- Tillv. art.nr:
- IPT60R028G7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 5 till för att spara 5%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
180,32 kr
(exkl. moms)
225,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 180,32 kr | - |
| 5 - 9 | 171,25 kr | 5% |
| 10 - 24 | 167,89 kr | 6% |
| 25 - 49 | 157,02 kr | 12% |
| 50 + | 146,05 kr | 19% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4938
- Tillv. art.nr:
- IPT60R028G7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IPT60R | |
| Kapseltyp | HSOF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 28mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 123nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 391W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.1mm | |
| Bredd | 10.58mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IPT60R | ||
Kapseltyp HSOF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 28mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 123nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 391W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.1mm | ||
Bredd 10.58mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons CoolMOSTM C7 Gold superjunction MOSFET-serie (G7) kombinerar fördelarna med den förbättrade 600 V CoolMOSTM C7 Gold-tekniken, 4-stifts Kelvin-källkapacitet och de förbättrade termiska egenskaperna i TO-Leadless-paketet (TOLL) för att möjliggöra en möjlig SMD-lösning för högströms hårdkopplingstopologier som effektfaktorkorrigering (PFC) upp till 3 kW och för resonanskretsar som LLC i högkvalitet.
Ger bäst i klassen FOM R DS(on)xE oss och R DS(on)xQ G
Möjliggör klassens bästa R DS(on) i minsta fotavtryck
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IPT60R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IPT60R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, CoolGaN
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT