Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IPT60R

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

127,46 kr

(exkl. moms)

159,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 4127,46 kr
5 - 9120,96 kr
10 - 24118,50 kr
25 - 49110,88 kr
50 +103,26 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4938
Tillv. art.nr:
IPT60R028G7XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

75A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

IPT60R

Kapseltyp

HSOF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

28mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

391W

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

123nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.1mm

Höjd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V CoolMOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.

Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G

Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

Relaterade länkar