Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7426
- Tillv. art.nr:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 15 enheter)*
154,785 kr
(exkl. moms)
193,485 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 14 895 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 10,319 kr | 154,79 kr |
| 75 - 135 | 9,804 kr | 147,06 kr |
| 150 - 360 | 9,393 kr | 140,90 kr |
| 375 - 735 | 8,975 kr | 134,63 kr |
| 750 + | 8,363 kr | 125,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7426
- Tillv. art.nr:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 43W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 43W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon offers a wide range of 75V-100V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in various packages a RDS(on) range from 1.2mΩ up to 190mΩReducing CO2 emissions of passenger cars is accelerating the 48V board net adoption and therefore the 48V like starter generators (main inverter), battery main switches, DCDC converter as well as 48V auxiliaries. For this emerging market, Infineon is offering a broad portfolio of Automotive 80V and 100V MOSFETs, that are housed in different package types like TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) and S308 (TSDSON-8), in order to provide solutions for different power requirements as well as different cooling concepts on electronic control unit (ECU) level. The next to 48V applications the 80V and 100V MOSFETs are also used for example in LED lighting, fuel injection as well as in-vehicle wireless charging.
Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
Dual Super S08 can replace multiple DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction.
Bond wire is 200um for up to 20A current
Larger source lead frame connection for wire bonding
Package: PG-TDSON-8-4
Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size.
Exposed pad provides excellent thermal transfer (varies by die size)
Two N-Channel MOSFETs in one package with 2 isolated lead frames
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel 20 A 100 V Förbättring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel 20 A 55 V Förbättring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel 20 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel 16 A 100 V Förbättring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel 20 A 100 V Förbättring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel 20 A 40 V Förbättring TDSON, IPG20 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel 20 A 100 V Förbättring TDSON, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal Dubbel 20 A 55 V Förbättring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
