Infineon 2 N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7425
- Tillv. art.nr:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
22 205,00 kr
(exkl. moms)
27 755,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 4,441 kr | 22 205,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7425
- Tillv. art.nr:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 43W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 5.15mm | |
| Bredd | 5.9mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 43W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 5.15mm | ||
Bredd 5.9mm | ||
Höjd 1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon erbjuder ett brett utbud av 75 V-100 V N-kanalkvalificerade effekt-MOSFET:ar för bilar med den nya OptiMOS-tekniken i olika paket med ett RDS(on)-område från 1,2 mΩ upp till 190 mΩMinskade koldioxidutsläpp från personbilar accelererar 48 V kortnettagningen och därför 48 V som startgeneratorer (huvudomriktare), batterihuvudomkopplare, DCDC-omvandlare samt 48 V-hjälpmedel. För denna framväxande marknad erbjuder Infineon ett brett sortiment av 80 V- och 100 V-MOSFET:er för fordon, som är inrymda i olika kapslingstyper som TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) och S308 (TSDSON-8), för att tillhandahålla lösningar för olika strömkrav samt olika kylkoncept på elektronisk styrenhetsnivå (ECU). Nästa till 48 V-tillämpningar används 80 V- och 100 V-MOSFET:erna också till exempel i LED-belysning, bränsleinjektion samt trådlös laddning i fordon.
Dubbel N-kanal Logic Level - Förbättringsläge
AEC Q101-kvalificerade
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
Grön produkt (RoHS-kompatibel)
100 % avalanche-testad
Dual Super S08 kan ersätta flera DPAK för betydande PCB-utrymmesbesparingar och kostnadsminskning på systemnivå.
Bondtråden är 200 um för upp till 20 A ström
Anslutning för större källkabelram för ledningsbindning
Förpackning: PG-TDSON-8-4
Samma termiska och elektriska prestanda som en DPAK med samma formstorlek.
Exponerad dyna ger utmärkt värmeöverföring (varierar efter matrisstorlek)
Två N-kanal MOSFET-transistorer i en kapsel med 2 isolerade ledningsramar
Relaterade länkar
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 55 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 16 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IPG20 AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal Dubbel, MOSFET, 20 A 55 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
