Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

22 205,00 kr

(exkl. moms)

27 755,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 10 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +4,441 kr22 205,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
220-7425
Tillv. art.nr:
IPG20N10S4L35ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekttransistor

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

35mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

43W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Längd

5.15mm

Bredd

5.9mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon erbjuder ett brett utbud av 75 V-100 V N-kanalkvalificerade effekt-MOSFET:ar för bilar med den nya OptiMOS-tekniken i olika paket med ett RDS(on)-område från 1,2 mΩ upp till 190 mΩMinskade koldioxidutsläpp från personbilar accelererar 48 V kortnettagningen och därför 48 V som startgeneratorer (huvudomriktare), batterihuvudomkopplare, DCDC-omvandlare samt 48 V-hjälpmedel. För denna framväxande marknad erbjuder Infineon ett brett sortiment av 80 V- och 100 V-MOSFET:er för fordon, som är inrymda i olika kapslingstyper som TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) och S308 (TSDSON-8), för att tillhandahålla lösningar för olika strömkrav samt olika kylkoncept på elektronisk styrenhetsnivå (ECU). Nästa till 48 V-tillämpningar används 80 V- och 100 V-MOSFET:erna också till exempel i LED-belysning, bränsleinjektion samt trådlös laddning i fordon.

Dubbel N-kanal Logic Level - Förbättringsläge

AEC Q101-kvalificerade

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

Grön produkt (RoHS-kompatibel)

100 % avalanche-testad

Dual Super S08 kan ersätta flera DPAK för betydande PCB-utrymmesbesparingar och kostnadsminskning på systemnivå.

Bondtråden är 200 um för upp till 20 A ström

Anslutning för större källkabelram för ledningsbindning

Förpackning: PG-TDSON-8-4

Samma termiska och elektriska prestanda som en DPAK med samma formstorlek.

Exponerad dyna ger utmärkt värmeöverföring (varierar efter matrisstorlek)

Två N-kanal MOSFET-transistorer i en kapsel med 2 isolerade ledningsramar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.