Infineon N Kanal Dubbel, MOSFET, 20 A 55 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

31 920,00 kr

(exkl. moms)

39 900,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +6,384 kr31 920,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3876
Tillv. art.nr:
IPG20N06S2L35AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS

Typ av fäste

Ytmontering

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

35mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

65W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons OptiMOS-effekttransistor är en dubbel Super S08 som kan ersätta flera DPAK för betydande besparingar på kretskortsyta och kostnadsminskning på systemnivå. Större anslutning för källkabelram för ledningsbindning och samma termiska och elektriska prestanda som en DPAK med samma inmatningsstorlek.

Dubbel N-kanal Logic Level - Förbättringsläge

AEC Q101-kvalificerade

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.