Infineon 2 N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IPG20 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

40 590,00 kr

(exkl. moms)

50 740,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +8,118 kr40 590,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-3057
Tillv. art.nr:
IPG20N04S408AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekttransistor

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

IPG20

Kapseltyp

TDSON

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

65W

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1mm

Bredd

5.9mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

5.15mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon 20 V-40 V N-kanal fordons-MOSFET. Den exponerade dynan ger utmärkt värmeöverföring (varierar efter matrisstorlek).

Dubbel N-kanal Normal nivå - Förbättringsläge

175 °C drifttemperatur

100 % avalanche-testad

Kan användas för automatisk optisk inspektion (AOI)

Relaterade länkar