Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, CoolMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4680
- Tillv. art.nr:
- IPG20N10S4L22ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
28 760,00 kr
(exkl. moms)
35 950,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 5,752 kr | 28 760,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4680
- Tillv. art.nr:
- IPG20N10S4L22ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 60W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Höjd | 1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 60W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Höjd 1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
"Infineons design av MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ""metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Grön produkt (RoHS-kompatibel)
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning AEC Q101-godkänd
OptiMOSTM – effekt-MOSFET för fordonstillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IPG20 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 55 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 16 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IPG AEC-Q101