Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7414
- Tillv. art.nr:
- IPD90N06S407ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
57,12 kr
(exkl. moms)
71,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 440 enhet(er) från den 17 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 5,712 kr | 57,12 kr |
| 100 - 240 | 5,432 kr | 54,32 kr |
| 250 - 490 | 5,309 kr | 53,09 kr |
| 500 - 990 | 4,973 kr | 49,73 kr |
| 1000 + | 4,626 kr | 46,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7414
- Tillv. art.nr:
- IPD90N06S407ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 43nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 79W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 79W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon offers a wide range of 55V-60V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages and ranging RDS(on) from 1.5mΩ up to 160mΩ.The new 60V automotive MOSFET family with OptiMOS5 technology delivers more power and leading performance. OptiMOS 5 provides reduced conduction losses optimized for drives and power conversion applications. The smaller leadless packages SSO8 (5x6mm2) and S3O8(3x3mm2) enable space savings by more than 50% compared to the area of a DPAK.
N-channel - Enhancement mode
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
100% Avalanche tested
Ultra low RDSon
world's lowest RDS at 60V (on)
highest current capability
lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
robust packages with superior quality and reliability
Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 90 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 90 A 30 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 30 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 100 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 30 A 75 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 50 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101