Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 218-3054
Tillv. art.nr:: IPD90N10S4L06ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

22 042,50 kr

(exkl. moms)

27 552,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 2 500 enhet(er) från den 24 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	8,817 kr	22 042,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 218-3054
Tillv. art.nr:: IPD90N10S4L06ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	90A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	OptiMOS-T2
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	6.6mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	75nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	136W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	6.73mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	2.41mm
	Bredd	6.22mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie OptiMOS-T2
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 6.6mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 75nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 136W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 6.73mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 2.41mm
	Bredd 6.22mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD90N10S4L06ATMA1

Infineon OptiMOS-T2-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 90 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD90N10S4L06ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för strömomkoppling i krävande miljöer, inklusive fordonstillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för ytmonterade kretskortsmontage där robusta termiska och elektriska prestanda krävs.

Funktioner och fördelar:

• Maximal drain-källspänning 100 V möjliggör högspänningskopplingskapacitet
• Kontinuerlig dräneringsström på 90 A stöder höga strömbelastningar
• Låg Rds(on) på 6,6 mΩ minskar ledningsförlusterna under drift
• Typisk grindladdning på 75 nC möjliggör kontrollerade omkopplingsövergångar
• Maximal effektförlust på 136 W underlättar värmehantering under belastning
• Maximal gate-källspänning 16 V medger standard-gate-drivspänningar

Användningsområden

• Lämplig för effektsteg i elektroniska fordonsstyrenheter
• Idealisk för DC/DC-omvandlare som kräver högströmshantering
• Används med motordrivkretsar som kräver låg ledningsförlust
• Kan användas för batterihantering och distributionssystem
• Lämplig för ytmonteringsmontering på kompakta kraftkort

Vilket temperaturområde kan den tolerera i drift?

Den fungerar i ett brett omgivningsområde från -55 °C till 175 °C.

Vilken kapsling och monteringstyp finns för montering på kretskort?

Enheten levereras i en TO-252-kapsel för ytmontering.

Hur många elektriska anslutningar ger den till en krets?

Den har tre stift för grind-, drain- och källanslutningar.

Vilken kanaltyp och vilket läge definierar dess ledningsbeteende?

Den använder en N-typ-kanal som drivs i förstärkningsläge.

Vilka är dess fysiska mått?

Förpackningen mäter 6,73x6,22x2,41 mm för kortlayout.