Infineon Typ P Kanal, MOSFET och diod, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 220-7415
Tillv. art.nr:: IPD90P03P4L04ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET och diod, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

16 935,00 kr

(exkl. moms)

21 170,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 2 500 enhet(er) från den 05 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	6,774 kr	16 935,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 220-7415
Tillv. art.nr:: IPD90P03P4L04ATMA2
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET och diod
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	90A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	4.1mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	5V
	Maximal effektförlust Pd	137W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	125nC
	Framåtriktad spänning Vf	-1.3V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	6.73mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	6.22mm
	Höjd	2.41mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET och diod
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp TO-252
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 4.1mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V
	Maximal effektförlust Pd 137W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 125nC
	Framåtriktad spänning Vf -1.3V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 6.73mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 6.22mm
	Höjd 2.41mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD90P03P4L04ATMA2

Infineon OptiMOS-serien MOSFET och diod, 30 V maximal drain-källspänning, 90 A maximal kontinuerlig drain-ström - IPD90P03P4L04ATMA2

Denna MOSFET och diod är en ytmonterad strömförsörjningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i fordons- och strömomvandlingsmiljöer. Den integrerar en kroppsdiod och fungerar som en P-kanal-transistor med förstärkningsläge, vilket gör den lämplig för system som kräver låg påslagningsresistans och robust termisk hållbarhet över ett utökat temperaturområde.

Funktioner och fördelar:

• Drain-klassning på 30 V möjliggör konstruktioner för lågspänningseffektsteg
• 4,1 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid kraftiga strömmar
• 90 A kontinuerlig dräneringskapacitet stöder tillämpningar med hög ström
• 137 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 125 nC typisk grindladdning säkerställer förutsägbart omkopplingsbeteende

Användningsområden

• Lämpligt för DC/DC-omvandlare i fordonsindustrin
• Idealisk för högströms synkrona likriktningskretsar
• Används med motorstyrda strömskenor för lågspänning
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning

Vilken kapsling och monteringsstil använder den?

Den levereras i en TO-252-förpackning och är avsedd för ytmontering.

Hur fungerar den i extrema temperaturer?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C för brett temperaturområde.

Vad är gränsspänningsgränsen och omkopplingens betydelse?

Den maximala gate-källspänningen är 5 V vilket definierar den tillåtna gate-drivamplituden och påverkar omkopplingsmarginalen.

Vilken är den inbyggda diodens framåtvända spänningsegenskaper?

Kroppsdioden har en framåtvänd spänning på -1,3 V vid mätning under specificerade förhållanden.