Infineon Typ P Kanal, MOSFET och diod, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

16 935,00 kr

(exkl. moms)

21 170,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 500 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +6,774 kr16 935,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
220-7415
Tillv. art.nr:
IPD90P03P4L04ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET och diod

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

90A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

5V

Maximal effektförlust Pd

137W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

125nC

Framåtriktad spänning Vf

-1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22mm

Höjd

2.41mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon erbjuder ett brett sortiment av P-kanals fordonseffekt-MOSFET i DPAK, D2PAK, TO220, TO262 och SO8-paket med tekniken OptiMOS -P2 och Gen5.

P-kanal – Logiknivå – Förbättringsläge

Ingen laddningspump krävs för High-Side-drivning.

Enkel gränssnittsdrivkrets

Världens lägsta RDSon på 40 V

Högsta strömkapacitet

Lägsta omkopplings- och ledningseffektsförluster för högsta termiska effektivitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.