Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

17 674,00 kr

(exkl. moms)

22 092,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +17,674 kr17 674,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
220-7381
Tillv. art.nr:
IPB065N10N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and figure of merit.

Excellent switching performance

World’s lowest R DS(on)

Very low Q g and Q gd

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Environmentally friendly

Increased efficiency

Highest power density

Less paralleling required

Smallest board-space consumption

Easy-to-design products

relaterade länkar