Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

17 674,00 kr

(exkl. moms)

22 092,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +17,674 kr17 674,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
220-7381
Tillv. art.nr:
IPB065N10N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET och diod

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and figure of merit.

Excellent switching performance

World’s lowest R DS(on)

Very low Q g and Q gd

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Environmentally friendly

Increased efficiency

Highest power density

Less paralleling required

Smallest board-space consumption

Easy-to-design products

Relaterade länkar