Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7387
- Tillv. art.nr:
- IPB100N08S2L07ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
210,02 kr
(exkl. moms)
262,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 875 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 42,004 kr | 210,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7387
- Tillv. art.nr:
- IPB100N08S2L07ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon erbjuder ett brett utbud av 75 V–100 V N-kanalkvalificerade effekt-MOSFET för bil med den nya OptiMOS-tekniken i olika paket med ett RDS(on)-område från 1,2 mΩ upp till 190 mΩ genom att minska CO2-utsläppen från personbilar accelererar 48 V kortnettagningen och därför 48 V som startgeneratorer (huvudomvandlare), batterihuvudomkopplare, DCDC-omvandlare samt 48 V-hjälpdon. För denna framväxande marknad erbjuder Infineon ett brett sortiment av 80 V- och 100 V-MOSFET:er för fordon, som är inrymda i olika kapslingstyper som TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) och S308 (TSDSON-8), för att tillhandahålla lösningar för olika strömkrav samt olika kylkoncept på elektronisk styrenhetsnivå (ECU). Förutom 48 V-tillämpningar används 80 V- och 100 V-MOSFET:erna också till exempel i LED-belysning, bränsleinjektion samt trådlös laddning i fordon.
N-kanals logiknivå – förbättringsläge
Godkänd enligt AEC Q101 för fordon
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 75 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
