Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 87 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P6
- RS-artikelnummer:
- 220-7369
- Tillv. art.nr:
- IPA60R125P6XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 50 enheter)*
1 620,90 kr
(exkl. moms)
2 026,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 200 enhet(er) från den 09 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 32,418 kr | 1 620,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7369
- Tillv. art.nr:
- IPA60R125P6XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 87A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 87A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Cool MOS P6 super junction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. Cool MOS P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.
Reduced gate charge (Q g)
Higher V the
Good body diode ruggedness
Optimized integrated R g
Improved dv/dt from 50V/ns
Improved efficiency especially in light load condition
Better efficiency in soft switching applications due to earlier turn-off
Suitable for hard- & soft-switching topologies
Optimized balance of efficiency and ease of use and good controllability of switching behaviour
High robustness and better efficiency
Outstanding quality & reliability
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 87 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 37.9 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 30 A 650 V Förbättring ThinPAK, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 109 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 23.8 A 650 V Förbättring TO-263, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 20 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 23.8 A 600 V Förbättring TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 78 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS P7
