Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 30 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, CoolMOS P6
- RS-artikelnummer:
- 220-7435
- Tillv. art.nr:
- IPL60R360P6SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
151,87 kr
(exkl. moms)
189,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 5 470 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 15,187 kr | 151,87 kr |
| 50 - 90 | 14,437 kr | 144,37 kr |
| 100 - 240 | 13,821 kr | 138,21 kr |
| 250 - 490 | 13,216 kr | 132,16 kr |
| 500 + | 12,298 kr | 122,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7435
- Tillv. art.nr:
- IPL60R360P6SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Kapseltyp | ThinPAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 89.3W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Kapseltyp ThinPAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximal effektförlust Pd 89.3W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 5.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons nya Cool MOS Thin PAK 5x6 är ett blyfritt SMD-paket speciellt utformat för högspännings-MOSFET: er. Den här nya förpackningen har ett mycket litet fotavtryck på 5 x 6 mm 2 och en mycket låg profil med endast 1 mm höjd. Denna betydligt mindre paketstorlek i kombination med sina referensvärda låga parasitiska induktanser kan användas som ett nytt och effektivt sätt att minska systemlösningens storlek i effekttäthetsdriven design. Tunt PAK 5x6-paket kännetecknas av en mycket låg källinduktans på 1,6 nH, samt en liknande termisk prestanda som DPAK. Kapseln möjliggör därför snabbare och mer effektiv omkoppling av effekt-MOSFET-transistorer och är lättare att hantera när det gäller omkopplingsbeteende och EMI.
Extremt låga förluster tack vare mycket låg FOMRdson*Qg och Eoss
Mycket hög motståndskraft vid kommutation
Lätt att använda/drivning
Blyfri plätering, halogenfri formförening
Godkänd för industriella tillämpningar enligt JEDEC
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 30 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 87 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 109 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23.8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 97 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS