Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 26 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 220-7368
- Tillv. art.nr:
- IPA60R120P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
241,36 kr
(exkl. moms)
301,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 295 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 48,272 kr | 241,36 kr |
| 25 - 45 | 43,434 kr | 217,17 kr |
| 50 - 120 | 40,566 kr | 202,83 kr |
| 125 - 245 | 37,654 kr | 188,27 kr |
| 250 + | 35,236 kr | 176,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7368
- Tillv. art.nr:
- IPA60R120P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 26A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 120mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 28W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 26A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 120mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 28W | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS P7-serien MOSFET och diod, 650 V maximal drain-källspänning, 78 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPA60R120P7XKSA1
Denna MOSFET och diod är en högspänningseffektomkopplingsenhet som är utformad för genomgående hålmontering i TO-220-kapslar, som kombinerar en N-kanals förstärkningstransistor med en integrerad diod för användning i krävande elektroniska strömkretsar. Den är avsedd för tillämpningar som kräver betydande strömkapacitet och förhöjd temperaturhållbarhet, fungerar över ett brett omgivningstemperaturområde.
Funktioner och fördelar:
• 650 V-klassning möjliggör högspänningsomkoppling i en enda enhet
• Kontinuerlig dräneringsström på 78 A stöder hantering av tung belastning
• Låg påslagningsresistans på 120 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Maximal effektförlust på 28 W möjliggör hållbar effekthantering
• 0,9 V framåtriktad diodspänning minimerar diodledningsförlusten
• 30 V gate-source-gränsen tillåter standard gate-drivspänningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 78 A stöder hantering av tung belastning
• Låg påslagningsresistans på 120 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Maximal effektförlust på 28 W möjliggör hållbar effekthantering
• 0,9 V framåtriktad diodspänning minimerar diodledningsförlusten
• 30 V gate-source-gränsen tillåter standard gate-drivspänningar
Användningsområden
• Lämpligt för högspänningsomvandlare och växelriktare
• Idealisk för industriella motorstyrningssteg
• Används med switchade nätaggregat som kräver hög ström
• Kan användas för effektfaktorkorrigeringskretsar
• Lämpligt för byte i hålmonterade TO-220-konstruktioner
• Idealisk för industriella motorstyrningssteg
• Används med switchade nätaggregat som kräver hög ström
• Kan användas för effektfaktorkorrigeringskretsar
• Lämpligt för byte i hålmonterade TO-220-konstruktioner
Vilket temperaturområde kan denna komponent tolerera under drift?
Den kan drivas från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med höga temperaturer.
Vilken monteringsmetod kräver den för kretskortsmontering?
Den är avsedd för genomgående hålmontering i en TO-220-kapsel för säker mekanisk och termisk fästning.
Vilken kanal och vilket ledningsläge använder den för omkoppling?
Enheten använder en N-kanalhalvledare konfigurerad i förstärkningsläge för standard gate-driven ledning.
Är den specificerad för överensstämmelse med fordonsklass?
Det är inte utsetts som att uppfylla klassificering enligt fordonsstandard.
Hur många stift ger paketet för elektrisk anslutning?
Kapseln har tre stift för grind-, drain- och källanslutningar.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 26 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 57.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7