Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

87,45 kr

(exkl. moms)

109,31 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 770 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +8,745 kr87,45 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3060
Tillv. art.nr:
IPG20N10S436AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekttransistor

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

OptiMOS-T2

Kapseltyp

TDSON

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

36mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.4nC

Maximal effektförlust Pd

43W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC Q101, RoHS

Längd

5.15mm

Höjd

1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series dual N- channel automotive MOSFET. It is feasible for automatic optical inspection (AOI).

Dual N-channel - Enhancement mode

100% Avalanche tested

175°C operating temperature

Relaterade länkar