Infineon N Kanal, Effekttransistor, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 826-8998
- Tillv. art.nr:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
459,66 kr
(exkl. moms)
574,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Slutlig(a) 520 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 22,983 kr | 459,66 kr |
| 40 - 80 | 18,155 kr | 363,10 kr |
| 100 - 180 | 17,007 kr | 340,14 kr |
| 200 - 480 | 15,859 kr | 317,18 kr |
| 500 + | 14,711 kr | 294,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 826-8998
- Tillv. art.nr:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS -T2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 107W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 83nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16, +16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 9.25mm | |
| Längd | 10mm | |
| Höjd | 4.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS -T2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 107W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 83nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16, +16V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 9.25mm | ||
Längd 10mm | ||
Höjd 4.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Inte relevant
Infineon OptiMOS™T2 Power MOSFETs
MOSFET-transistorer, Infineon
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 16 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2
